晶圆粗糙度检测仪器

从硅晶圆的制备到晶圆IC的制造，每一步都对工艺流程的质量有着严格的管控要求，作为产品表面质量检测仪器的光学3D表面轮廓仪，以其高检测精度和高重复性，发挥着重要的作用。

中图仪器SuperViewW1光学3D表面轮廓仪作为晶圆粗糙度检测仪器，其分辨率可达0.1nm。

SuperViewW1晶圆粗糙度检测仪器

应用

硅晶圆的粗糙度检测

在半导体产业中，硅晶圆的制备质量直接关系着晶圆IC芯片的制造质量，而硅晶圆的制备，要经过十数道工序，才能将一根硅棒制成一片片光滑如镜面的抛光硅晶圆，如下图所示，提取表面一区域进行扫描成像。

硅晶圆粗糙度测量

上图中制备好的抛光硅晶圆表面轮廓起伏已在数纳米以内，其表面粗糙度在0.5nm左右，由于其粗糙度精度已到亚纳米量级，而在此量级上，接触式轮廓仪和一般的非接触式仪器均无法满足检测要求，只有结合了光学干涉原理和精密扫描模块的光学3D表面轮廓仪才适用。

晶圆IC的轮廓检测

晶圆IC的制造过程可简单看作是将光罩上的电路图通过UV蚀刻到镀膜和感光层后的硅晶圆上这一过程，其中由于光罩中电路结构尺寸极小，任何微小的粘附异物和瑕疵均会导致制造的晶圆IC表面存在缺陷，因此必须对光罩和晶圆IC的表面轮廓进行检测。下图是一块蚀刻后的晶圆IC，使用光学3D表面轮廓仪对其中一个微结构扫描还原3D图像，并测量其轮廓尺寸。

晶圆IC减薄后的粗糙度检测

在硅晶圆的蚀刻完成后，根据不同的应用需求，需要对制备好的晶圆IC的背面进行不同程度的减薄处理，在这个过程中，需要对减薄后的晶圆IC背面的表面粗糙度进行监控以满足后续的应用要求。在减薄工序中，晶圆IC的背面要经过粗磨和细磨两道磨削工序，下图是粗磨后的晶圆IC背面，选取其中区域进行成像分析。

技术规格

产品型号：SuperView W1系列

产品名称：光学3D表面轮廓仪

影像系统：1024×1024

光学ZOOM：0.5×，（0.75×，1×可选）

干涉物镜：10×，（2.5×，5×，20×，50×，100×可选）

XY平台：尺寸320×200mm，行程140×110mm，电动、手动同时具备，均为光栅闭环反馈

Z轴行程：100mm，电动

Z向扫描范围：10mm

Z向分辨率：0.1nm

水平调整：±5°手动

粗糙度RMS重复性：0.005nm

台阶高测量：准确度0.3%，重复性0.08% 1σ

主要特点：非接触式无损检测，一键分析、测量速度快、效率高

生产企业：深圳市中图仪器股份有限公司

注释：更多详细产品信息，请联系我们获取